Gálium nitrid GaN

Popis

Gálium nitrid GaN, CAS 25617-97-4, molekulová hmotnosť 83,73, wurtzitová kryštálová štruktúra, je binárny zložený polovodič s priamym pásmovým rozdielom skupiny III-V, pestovaný vysoko vyvinutou metódou amonotermálneho procesu.Gálium nitrid GaN, ktorý sa vyznačuje dokonalou kryštalickou kvalitou, vysokou tepelnou vodivosťou, vysokou pohyblivosťou elektrónov, vysokým kritickým elektrickým poľom a širokým pásmom, má požadované vlastnosti v optoelektronike a aplikáciách snímania.

Aplikácie

Gallium Nitride GaN je vhodný na výrobu špičkových vysokorýchlostných a vysokokapacitných komponentov LED diód vyžarujúcich jasné svetlo, laserových a optoelektronických zariadení, ako sú zelené a modré lasery, tranzistory s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT) a vo vysokovýkonných a priemysel výroby vysokoteplotných zariadení.

Doručenie

Gallium Nitride GaN v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation môže byť dodávaný vo veľkosti kruhového plátku 2" alebo 4" (50 mm, 100 mm) a štvorcového plátku 10 × 10 alebo 10 × 5 mm.Akákoľvek prispôsobená veľkosť a špecifikácia sú pre našich zákazníkov na celom svete dokonalým riešením.

Opýtajte sa teraz

Podrobnosti

Tagy

Technická špecifikácia

Gálium nitrid GaN

Gálium nitrid GaNu Western Minmetals (SC) Corporation môže byť poskytnutá vo veľkosti kruhového plátku 2 palce alebo 4“ (50 mm, 100 mm) a štvorcového plátku 10 × 10 alebo 10 × 5 mm.Akákoľvek prispôsobená veľkosť a špecifikácia sú pre našich zákazníkov na celom svete dokonalým riešením.

Nie	Položky	Štandardná špecifikácia
1	Tvar	Kruhový	Kruhový	Námestie
2	Veľkosť	2"	4"	--
3	Priemer mm	50,8 ± 0,5	100 ± 0,5	--
4	Dĺžka strany mm	--	--	10x10 alebo 10x5
5	Metóda rastu	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientácia	C-lietadlo (0001)	C-lietadlo (0001)	C-lietadlo (0001)
7	Typ vodivosti	N-typ/Si-dopované, nedopované, poloizolačné
8	Odpor Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Hrúbka μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Oblúk μm max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Povrchová úprava	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Drsnosť povrchu	Predná: ≤ 0,2 nm, zadná: 0,5-1,5 μm alebo ≤ 0,2 nm
15	Balenie	Jedna nádoba na oblátky zapečatená v hliníkovom vrecku.

Lineárny vzorec	GaN
Molekulová hmotnosť	83,73
Kryštálová štruktúra	Zinková zmes/wurtzit
Vzhľad	Priesvitná pevná látka
Bod topenia	2500 °C
Bod varu	N/A
Hustota 300K	6,15 g/cm³
Energetická medzera	(3,2-3,29) eV pri 300K
Vnútorný odpor	>1E8 Ω-cm
Číslo CAS	25617-97-4
EC číslo	247-129-0

Gálium nitrid GaNje vhodný na výrobu špičkových vysokorýchlostných a vysokokapacitných jasných svetelných diód LED komponentov, laserových a optoelektronických zariadení, ako sú zelené a modré lasery, tranzistory s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT) a vo vysokovýkonných a vysokovýkonných priemysel výroby teplotných zariadení.