• info@matltech.com
  • E2-1-1011 Global Center, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, Čína.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Arsenid kadmia Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Popis

Arsenid kadmia Cd3As25N 99,999 %,tmavošedá farba s hustotou 6,211 g/cm3, teplota topenia 721°C, molekula 487,04, CAS12006-15-4, rozpustný v kyseline dusičnej HNO3 a stabilita na vzduchu, je syntetizovaný zložený materiál s vysokou čistotou kadmia a arzénu.Arsenid kadmia je anorganický polokov v rodine II-V a vykazuje Nernstov efekt.Kryštál arzenidu kademnatého pestovaný metódou Bridgmanovho rastu, nevrstvená objemová polokovová štruktúra Dirac, je degenerovaný polovodič typu N-typ II-V alebo polovodič s úzkou medzerou s vysokou mobilitou nosiča, nízkou efektívnou hmotnosťou a vysoko neparabolickým vedením. kapela.Arsenid kadmia Cd3As2 alebo CdAs je kryštalická tuhá látka a nachádza stále väčšie uplatnenie v polovodiči a vo fotooptickom poli, ako sú infračervené detektory využívajúce Nernstov jav, v tenkovrstvových snímačoch dynamického tlaku, laseroch, LED diódach, kvantových bodkách atď. vyrábať magnetorezistory a vo fotodetektoroch.Arzenidové zlúčeniny arzenidu GaAs, arzenidu india InAs a arzenidu nióbu NbAs alebo Nb5As3nájsť ďalšie uplatnenie ako elektrolytický materiál, polovodičový materiál, QLED displej, IC pole a iné materiálové polia.

Doručenie

Arsenid kadmia Cd3As2a arzenid gália GaAs, arzenid india InAs a arzenid nióbový NbAs alebo Nb5As3v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation s čistotou 99,99 % 4N a 99,999 % 5N je veľkosť polykryštalického mikroprášku -60 mesh, -80 mesh, nanočastice, hrudka 1-20 mm, granula 1-6 mm, kus, polotovar, sypký kryštál a monokryštál atď. alebo ako prispôsobená špecifikácia na dosiahnutie dokonalého riešenia.


Podrobnosti

Tagy

Technická špecifikácia

Arzenidové zlúčeniny

Arzenidové zlúčeniny odkazujú najmä na kovové prvky a metaloidné zlúčeniny, ktoré majú stechiometrické zloženie meniace sa v určitom rozsahu za vzniku tuhého roztoku na báze zlúčeniny.Intermetalická zlúčenina sa svojimi vynikajúcimi vlastnosťami nachádza medzi kovom a keramikou a stala sa dôležitým odvetvím nových konštrukčných materiálov.Okrem arzenidu gália GaAs, arzenidu india InAs a arzenidu nióbu NbAs alebo Nb5As3môžu byť tiež syntetizované vo forme prášku, granúl, hrudky, tyčinky, kryštálu a substrátu.

Arsenid kadmia Cd3As2a arzenid gália GaAs, arzenid india InAs a arzenid nióbový NbAs alebo Nb5As3v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation s čistotou 99,99 % 4N a 99,999 % 5N je veľkosť polykryštalického mikroprášku -60 mesh, -80 mesh, nanočastice, hrudka 1-20 mm, granula 1-6 mm, kus, polotovar, sypký kryštál a monokryštál atď. alebo ako prispôsobená špecifikácia na dosiahnutie dokonalého riešenia.

CM-W2

GaAs-W3

Nie

Položka

Štandardná špecifikácia

Čistota

Nečistota PPM Max

Veľkosť

1

Arsenid kadmia Cd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0

- 60 mesh - 80 mesh prášok, 1-20 mm hrudka, 1-6 mm granule

2

Gálium arzenid GaAs

5N 6N 7N

 Zloženie GaAs je k dispozícii na požiadanie

3

Arsenid nióbový NbAs

3N5

 Zloženie NbAs je k dispozícii na požiadanie

4

Indium arzenid InAs

5N 6N

 InAs Composition je k dispozícii na požiadanie

5

Balenie

500 g alebo 1 000 g v polyetylénovej fľaši alebo kompozitnom vrecku, kartónová škatuľa vonku

Arsenid gália

GaAs

Gálium arzenid GaAs, polovodičový materiál zlúčeniny III–V s priamou medzerou s kryštálovou štruktúrou zinkovej zmesi, je syntetizovaný vysoko čistými prvkami gália a arzénu a možno ho narezať a vyrobiť do plátku a polotovaru z monokryštalického ingotu pestovaného metódou Vertical Gradient Freeze (VGF) .Vďaka svojej saturujúcej mobilite v hale a vysokej stabilite výkonu a teploty dosahujú tieto RF komponenty, mikrovlnné integrované obvody a LED zariadenia, ktoré vyrába, skvelý výkon vo svojich vysokofrekvenčných komunikačných scénach.Medzitým jeho účinnosť prenosu UV svetla tiež umožňuje, aby bol osvedčeným základným materiálom vo fotovoltaickom priemysle.Gallium Arsenide GaAs doštička v Western Minmetals (SC) Corporation môže byť dodaná až do priemeru 6" alebo 150 mm s čistotou 6N 7N a k dispozícii je aj substrát s mechanickou kvalitou arsenidu gália. Medzitým sú polykryštalické tyčinky, hrudky a granuly arzenidu gália atď. s čistotou 99,999 % 5N, 99,9999 % 6N, 99,99999 % 7N od spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation sú tiež k dispozícii alebo ako prispôsobené špecifikácie na požiadanie.

Indium arzenid

InAs

Indium arzenid InAs, polovodič s priamou medzerou v pásme kryštalizujúci v štruktúre zmesi zinku, zložený z prvkov india a arzénu vysokej čistoty, pestovaný metódou Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), môže byť narezaný a vyrobený do plátku z monokryštalického ingotu.Vďaka nízkej hustote dislokácií, ale konštantnej mriežke, je InAs ideálnym substrátom na ďalšiu podporu heterogénnych štruktúr InAsSb, InAsPSb & InNAsSb alebo supermriežkovej štruktúry AlGaSb.Preto hrá dôležitú úlohu pri výrobe zariadení vyžarujúcich infračervené žiarenie s vlnovým rozsahom 2-14 μm.Okrem toho, špičková mobilita haly, ale úzka energetická medzera InAs jej tiež umožňuje stať sa skvelým substrátom pre výrobu komponentov haly alebo iných laserových a radiačných zariadení.Indium Arsenide InAs v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation s čistotou 99,99 % 4N, 99,999 % 5N, 99,9999 % 6N sa môže dodávať v substráte s priemerom 2" 3" 4". ) Corporation je tiež k dispozícii alebo ako prispôsobená špecifikácia na požiadanie.

Arsenid nióbu

NbAs-2

Nióbový arzenid Nb5As3 or NbAs,sivobiela alebo sivá kryštalická tuhá látka, CAS č. 12255-08-2, hmotnosť vzorca 653,327 Nb5As3a 167,828 NbAs, je binárna zlúčenina nióbu a arzénu so zložením NbAs,Nb5As3, NbAs4 …atď. syntetizovaná metódou CVD, tieto tuhé soli majú veľmi vysoké mriežkové energie a sú toxické kvôli inherentnej toxicite arzénu.Vysokoteplotná tepelná analýza ukazuje, že NdAs vykazovalo prchavosť arzénu pri zahrievaní. Nióbový arzenid, weylský polokov, je typ polovodičového a fotoelektrického materiálu v aplikáciách pre polovodiče, fotooptiku, laserové diódy vyžarujúce svetlo, kvantové bodky, optické a tlakové senzory, ako medziprodukty a na výrobu supravodičov atď.5As3alebo NbA v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation s čistotou 99,99 % 4N sa môže dodávať v tvare prášku, granúl, hrudky, terča a kryštálov atď. , suché a chladné miesto.

Tipy na obstarávanie

  • Vzorka k dispozícii na vyžiadanie
  • Bezpečné doručenie tovaru kuriérom / letecky / po mori
  • COA/COC manažment kvality
  • Bezpečné a pohodlné balenie
  • Štandardné balenie OSN dostupné na požiadanie
  • Certifikované podľa ISO9001:2015
  • Podmienky CPT/CIP/FOB/CFR podľa Incoterms 2010
  • Flexibilné platobné podmienky T/TD/PL/C Prijateľné
  • Plnorozmerné popredajné služby
  • Kontrola kvality prostredníctvom najmodernejšieho zariadenia
  • Schválenie podľa Rohs/REACH
  • Dohody o mlčanlivosti NDA
  • Nekonfliktná politika nerastných surovín
  • Pravidelné hodnotenie environmentálneho manažmentu
  • Plnenie spoločenskej zodpovednosti

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Predchádzajúce:
  • Ďalšie:

    • Súvisiace produkty

    Stlačte Enter na vyhľadávanie alebo Esc na zatvorenie
    QR kód