CZ kremíkový plátok

Popis

CZ jednokryštálový kremíkový plátok je narezaný z monokryštálového kremíkového ingotu ťahaného rastovou metódou Czochralski CZ, ktorá sa najčastejšie používa na rast kremíkových kryštálov veľkých valcových ingotov používaných v elektronickom priemysle na výrobu polovodičových súčiastok.Pri tomto procese sa tenké zárodky kryštálového kremíka s presnými toleranciami orientácie zavedú do roztaveného kremíka, ktorého teplota je presne kontrolovaná.Zárodočný kryštál sa pomaly vyťahuje smerom nahor z taveniny veľmi kontrolovanou rýchlosťou, kryštalické tuhnutie atómov z kvapalnej fázy nastáva na rozhraní, zárodočný kryštál a téglik sa počas tohto procesu odťahovania otáčajú v opačných smeroch, čím vzniká veľký kryštálový kremík s dokonalou kryštalickou štruktúrou semena.

Vďaka magnetickému poľu aplikovanému na štandardné ťahanie ingotov CZ má monokryštálový kremík Czochralski MCZ indukovaný magnetickým poľom porovnateľne nižšiu koncentráciu nečistôt, nižšiu hladinu kyslíka a dislokáciu a rovnomerné kolísanie odporu, ktoré dobre funguje v elektronických súčiastkach a zariadeniach špičkovej technológie. výroba v elektronickom alebo fotovoltaickom priemysle.

Doručenie

CZ alebo MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type a p-type vodivosť v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation môže byť dodaná vo veľkostiach s priemerom 2, 3, 4, 6, 8 a 12 palcov (50, 75, 100, 125, 150, 200 a 300 mm), orientácia <100>, <110>, <111> s povrchovou úpravou lapované, leptané a leštené v balení penovej krabice alebo kazety s kartónovou krabicou zvonku.

Opýtajte sa teraz

Podrobnosti

Tagy

Technická špecifikácia

CZ kremíkový plátok

CZ jednokryštálový kremíkový plátok je základným materiálom pri výrobe integrovaných obvodov, diód, tranzistorov, diskrétnych súčiastok, používaných vo všetkých typoch elektronických zariadení a polovodičových zariadení, ako aj substrátu pri epitaxnom spracovaní, substrátu SOI doštičky alebo pri výrobe poloizolačných doštičiek, najmä veľkých priemer 200 mm, 250 mm a 300 mm sú optimálne na výrobu ultra vysoko integrovaných zariadení.Jednokryštálový kremík sa vo veľkom množstve používa aj na solárne články vo fotovoltaickom priemysle, ktorého takmer dokonalá kryštálová štruktúra poskytuje najvyššiu účinnosť premeny svetla na elektrinu.

Nie	Položky	Štandardná špecifikácia
1	Veľkosť	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Priemer mm	50,8 ± 0,3	76,2 ± 0,3	100 ± 0,5	150±0,5	200 ± 0,5	300 ± 0,5
3	Vodivosť	P alebo N alebo nedopované
4	Orientácia	<100>, <110>, <111>
5	Hrúbka μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 alebo podľa potreby
6	Odpor Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 atď.
7	RRV max	8 %, 10 %, 12 %
8	Primárne Ploché/Dĺžka mm	Ako SEMI štandard alebo podľa potreby
9	Sekundárne Ploché/Dĺžka mm	Ako SEMI štandard alebo podľa potreby
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Povrchová úprava	Ako rez, L/L, P/E, P/P
13	Balenie	Penová krabica alebo kazeta vnútri, kartónová krabica vonku.

Symbol	Si
Atómové číslo	14
Atómová hmotnosť	28.09
Kategória prvku	Metaloid
Skupina, Obdobie, Blok	14, 3, P
Kryštálová štruktúra	diamant
Farba	Tmavo-sivá
Bod topenia	1414 °C, 1687,15 K
Bod varu	3265 °C, 3538,15 K
Hustota 300K	2,329 g/cm³
Vnútorný odpor	3,2E5 Ω-cm
Číslo CAS	7440-21-3
EC číslo	231-130-8

CZ alebo MCZ Single Crystal Silicon WaferVodivosť typu n a typu p v spoločnosti Western Minmetals (SC) Corporation môže byť dodaná vo veľkostiach s priemerom 2, 3, 4, 6, 8 a 12 palcov (50, 75, 100, 125, 150, 200 a 300 mm), orientácia <100>, <110>, <111> s povrchovou úpravou rezané, lapované, leptané a leštené v balení penovej krabice alebo kazety s kartónovou krabicou zvonku.